Son periyotta döküm rekabetinde biraz artta kalıyor olsa da Samsung sürat kesmeden en ileri teknikleri geliştirmeye devam ediyor. 3nm sürecinde muvaffakiyet yakalayan firma gözünü 1.4nm sürecine dikti.
Samsung sürat kesmiyor
Samsung yaptığı açıklamada 3nm sürecini muvaffakiyetle hacimli üretime soktuğunu, 2025 yılı için zar etrafında akım geçişlerini dizdiği GAA teknolojisi ile 2nm sürecine geçme planı olduğunu ve 2027 yılı için de 1.4nm sürecini hedeflediğini belirtti.
Güney Kore külfette
Bugün taşınabilir aygıtlarda 4nm sürecini artık deneyim edebiliyoruz. Samsung’un atağı yaklaşık 3 kat ilerleme manasına geliyor. Bir devir 10nm altına inmek çok güç görülürken artık 1nm sürecine gerçek gidiyoruz. Haliyle yongaların verimliliğinde de 2-3 kata kadar artışlar elde edilebilecek.
Hali hazırda GAA 3nm sürecini performans odaklı bilgisayar ve taşınabilir sistemler için daha da geliştirecek olan Samsung, ayrıyeten bilgisayar ve otomotiv bölümü için de 4nm sürecini çeşitlendirmeyi planlıyor.
Diğer taraftan otomotiv bölümü için 28nm sürecinde eNVM entegre bellek üretimi yapan Samsung, 2024 yılında 14nm ve sonrasında da 8nm üretim yapmaı planlıyor. Radyo frekans yongaları için ise 14nm sonrasında 8nm ve 5nm gelecek. Yeniden yonga paketleme konusunda da Samsung daha verimli süreçler geliştiriyor.