Samsung katı hal depolama aygıtları için daha yüksek performans ve daha fazla kapasite vadeden 8 Bakırköy Ucuz Escort kuşak V NAND belleklerin seri üretimine başlamaya hazırlanıyor Samsung 2013 yılında 24 katmanlı V NAND bellekleri sayesinde rakiplerinin çok önündeydi ama daha fazla katman oluşturmanın zorlaşmasıyla rakipleri tarafından yakalanmış durumda Bakırköy Yabancı Escort
Yıl içerisinde Micron ve SK Hynix kendi NAND teknolojilerini geliştirdiklerini duyurdular Micron tarafından gelen 232 katmanlı tahlili Sk Hynix 238 katmanlı TLC NAND belleklerle cevapladı Samsung tarafında ise yanıt fazla Bakırköy Anal Escort gecikmedi firma 236 katmanlı 8 jenerasyon 3D V NAND belleklerin seri üretimi için yolun sonuna geldi
Daha yüksek sürat ve depolama sunacak
Masaüstü ve dizüstüler için yeni jenerasyon PCIe Gen Bakırköy Masöz Escort 5 arabirimi ile rekabetçi depolama tahlilleri sunmak isteyen Samsung tıpkı vakitte taşınabilir tarafta UFS 4 0 ve UFS 3 1 teknolojileri için yeni jenerasyon bellekler üretmek istiyor Halihazırda bulunan 7 Bakırköy Otele Gelen Escort Kuşak V NAND bellekler 2 GT s ye kadar suratlar sunabiliyor ama şimdilik 8 Jenerasyon V NAND belleklerin suratları konusunda bir bilgi elimizde yok Lakin Samsung genel olarak daha fazla sürat daha fazla depolama ve daha güç verimliliği sunmak istiyor
ABD merkezli Micron, 40 milyar dolarlık yeni yatırımını duyurdu
Statista’ya nazaran Koreli teknoloji devi 2022’nin birinci çeyreğinde NAND flash pazarında 35 3 paya sahip Samsung kendisini 18 9 pazar hissesiyle takip eden ikinci sıradaki NAND bellek üreticisi Kioxia’ya bu alanda değerli bir fark atmış durumda
